国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
▍国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
不可以，甚至不能生产28纳米。
目前国内生产的14纳米芯片，重点突破原因是去年服贸会引进的蚀刻机设备(注意这里液体蚀刻，而非光刻)。这让最新一代的38纳米光刻机有了用武之地(同样这并不依赖90纳米光刻机)。
至于10纳米制程以内，需要有更先进的光刻机设备。而且要市场化，还必须量产，试验生产和量产至少还有一两年。所以说路漫漫其修远兮，早着呢。
▍国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
最近，上海传出了一则振奋人心的消息，大意是“14纳米先进工艺规模实现量产”；
消息一经传出，大家纷纷猜测90nm国产光刻机在其中起到了至关重要的作用，这也让国产光刻机再次走进人们热议视线。
光刻机又称掩模对准曝光机，是芯片加工过程中用于去除“晶圆表面涂抹的光刻胶”的一种重要设备。
目前市场上的主流光刻机分为两大类，一是EUV光刻机、二是DUV光刻机，前者目前是最先进的光刻机，能制造5nm的高端芯片，也只有荷兰的ASML才掌握。
受限于出口限制，目前国内尚没有一台EUV光刻机，但我们有DUV光刻机，其中上海微电子装备股份有限公司就是光刻机的代表企业。
上海微电生产的光刻机，目前处于90nm水平。虽然较ASML仍有较大的差距，但纵观国内，比起国内其他半导体公司仍停留在200nm工艺，上海微电绝对是行业翘楚。
上海微电所生产的国产SMEE200系列光刻机，几乎是国内光刻机“先进”的代名词。
9月14日，“上海发布”发布了一则消息，提到14nm芯片实现量产。
结合目前国内最先进的光刻机是90nm，不少人大呼上海微电以90nm光刻机为平台，可以实现14nm芯片生产了，国产芯片行业再迎跨越，振奋不已。
那么实打实地说，90nm光刻机真的能生产14nm制程的芯片吗？14nm芯片的量产，真的得益于上海微电自产的光刻机吗？
关于这一问题，大家先要走出一个误区，不要误认为只有14nm的光刻机才可以生产14nm制程的芯片，理论上90nm光刻机是可以生产90nm制程以下的芯片的。
这一原理类似于照相机的底片，发烧友应该知道，底片经过多次曝光，是可以得到更清晰照片的。
以这个原理为基础，90nm的光刻机，在生产芯片时，倘若经过两次“曝光”，理论上可以生产出45nm的芯片；以此类推，经曝光三次，22nm的芯片就生成了。
当然，理论归理论，在“无限”曝光能得到更短制程芯片的同时，有一个问题不容忽视，那就是“良品率”。
事实上，曝光次数越多，那么良品率就越低，即便经4次曝光能生产出14nm的芯片，大部分芯片也无法用于“实战”，说白了就是废品。
所以，90nm光刻机用于生产14nm芯片，理论上可行，但鉴于较低的良品率，实际用于量产的可能性微乎其微，毕竟要考虑到“合格率”。
再就是即便不计良品率，采用多次曝光的方式来缩短芯片的制程，恐怕成本上也吃不消。事实上曝光次数越多，成本就会随之陡增。对比起来，与其自产，还不如进口，毕竟高昂的成本也是要考虑的问题。
因此，无论是站在良品率还是成本的角度上，14nm芯片实现量产的功劳恐怕是不能算在国90nm光刻机的头上的。
既然实践中，90nm国产光刻机用于量产14nm芯片的可能性几乎为0，那么此次上海宣布14nm芯片实现量产，究竟是怎么回事呢？得益于谁呢？
结合以往的消息，早在去年的时候，国内半导体行业龙头中芯国际就传出已向ASML公司采购价值11亿美元光刻机的消息。
据悉，采购的这批光刻机是深紫外线光刻机，也就是248nm、193nm光源为核心部件的光刻机，虽然距EUV光刻机有较大的技术差距，但算得上是ASML公司的二线产品，理论上能用于生产0-130nm制程的芯片，14nm制程芯片实现量产自然不在话下。
另外，今年第一季度的时候，荷兰ASML就已经向中芯国际交付了23台DUV光刻机。也正是得益于23台光刻机的交付，中芯国际才宣称14nm工艺芯片实现量产。
综合以上消息推测，此次实现14nm制程芯片的量产，很有可能利用的还是进口光刻机，而非上海微电国产的90nm光刻机。
当然，以上也仅限于猜测，实际上早在2021年底，一条“低调”的消息是上海微电即将交付28nm光刻机，而28nm光刻机理论上经两次曝光后，是可以量产24nm芯片的，虽然良品率较低、成本微高。
不排除上海微电已经掌握生产28nm光刻机并交付市场的可能性，以此用于14nm芯片的量产。
当然，现在公开消息显示上海微电对外宣称的最先进光刻机依然停留在90nm。
综上来说，无论是14nm芯片量产的消息，还是上海微电在光刻机国产方面取得的重大突破，这都值得我们兴奋。但事实求是地说，真让90nm国产光刻机去量产14nm芯片，恐怕是不现实的。
当然大家也不要过度的悲观，实际上即便5nm芯片是目前几乎最先进的技术，我们尚不掌握，但从市场角度而言，能用到5nm及以下制程芯片的领域很窄，实际上结合2020年的相关统计，应用14nm及以上工艺的芯片占全球芯片市场的82%左右，这才是主流市场。而一旦我们实现了14nm芯片的量产，理论上我们可以在主流制程芯片市场上角逐和竞争。
光刻机和芯片领域我们起步较晚，当下又遭遇了技术封锁，但我们的信心是存在的，不会仅限于14nm芯片的量产，我们一向能在打压中实现突破，想必将来，我们一定能迎头赶上，5nm、3nm都不在话下，当然这需要长期的追赶，不是一朝一夕就能一蹴而就的。
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▍国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
九十纳米光刻机多次曝光就可以生产七纳米芯片。
国产光刻机已经可以生产十四纳米芯片，生产七纳米芯片应该是技术上有些问题待解决，稍微攻克一下，今年年底或明年初就能生产七纳米芯片了
▍国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
目前我国已经投入量产的最先进光刻机是90纳米光刻机，虽然28纳米光刻机已经实现了技术上的突破，但目前还处于测试阶段，因为良品率相对比较低，并没有投入量产当中。
对此有些网友可能就产生一些大胆的想法，我们能不能使用纯国产90纳米光刻机来制造14纳米的芯片呢？
首先可以肯定地告诉大家答案，不可能。
可能有些朋友会说，用90纳米光刻机经过工艺上的改进以及多次曝光之后生产14纳米的芯片没有问题，但这只是理论上的理想值，现实当中并不可行。
这个先给大家普及一个最基本的常识，那就是光刻机的波长和精度是两码事。
提到光刻机，我们正常所说的工艺一般指的是它的精度也就是分辨率，比如国产90纳米光刻机也就是90纳米分辨率。
但实际上90纳米精度的光刻机它的波长并不是90纳米，而是比90纳米大很多。
目前市场上的光刻机分为两大类，一类是EUV光刻机，还有一种是DUV光刻机，其中EUV光刻机只有荷兰的ASML掌握了技术，其他国家并没有掌握。
目前国产光刻机属于DUV光刻机，DUV光刻机光源为准分子激光，根据技术不同，DUV光刻机波长可以分为365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米。
目前国产90nmDUV光刻机波长应该是在193纳米到248纳米之间。
那为什么我们又说国产光刻机最先进达到90纳米呢？其实这里面除了波长之外，还需要通过物镜以及光源来达到提升精度的目的。
但是目前国产物镜以及光源同样存在很大的挑战，而全球最顶尖的物镜以及光源生产商，比如德国蔡司以及美国的crymer，他们是不可能将最先进的物镜以及光源出口给我们的，光靠国产供应商提供短期内很难实现光刻机精度的提升。
所以想要用国产光刻机来制造14纳米芯片几乎不可能，要是有可能我们现在就不至于这么头疼了。
可能有些朋友会说，用90纳米光刻机经过多次曝光之后同样可以生产出14纳米芯片，但是在这里面很多人可能忽略了几个问题。
第1个是成本问题。
假如利用90纳米光刻机经过多次曝光生产14纳米芯片，其成本将会迅速上升，有可能成本是普通14nm纳米芯片成本的好几倍，最终生产出来的芯片没有任何市场优势了，企业也不可能做这种亏本生意的。
第2个是良品率的问题。
就算我国经过多种努力之后，真的能够用90纳米光刻机生产14纳米芯片了，但是良品率绝对不会很高，良品率能够达到10%已经非常不错了，如此低的良品率不仅大大提升企业的成本，关键是有没有厂家愿意采购这种芯片是一个大问题。
所以综合各种因素之后，想利用90纳米国产光刻机来制造实施纳米芯片基本不可能。
目前唯一有希望的是，等国产28nm光刻机量产之后，确实有可能用于生产14纳米甚至7纳米的芯片。
目前国产28纳米光刻机已经实现技术突破，目前还在测试阶段，按照上海微电子原来的计划，据说2022年底之前会量产，但是按照目前的进度来看，估计短期内很难实现量产，有可能需要等到2023年甚至2024年。
但既然我国已经实现了28纳米光刻机技术的突破，未来28纳米光刻机量产迟早会到来。
一旦我国掌握了成熟的28纳米光刻机之后，再配合芯片制造工艺的改进，再经过多次曝光之后是可以用于生产14纳米光刻机的，甚至有可能用于生产7nm纳米芯片。
要知道台积电第1代7纳米芯片其实也是用DUV光刻机实现的，当时他们采用的是ASML的ARFi型号DUV光刻机，这个光刻机的最大分辨率是38纳米。
而据说上海微电子研发出来的新一代光刻机最大分辨率也是达到38纳米，如此一来，确实有很大的希望可以用于生产14纳米芯片和7纳米芯片。
当然除了依赖光刻机的技术进步之外，目前市场上还有一种提升芯片性能的路线，那就是芯片堆叠，也就是把两个芯片叠在一起，从而达到提升芯片性能的目的，这种路线已经被证实是可行的。
▍国产90nm光刻机能生产14nm的芯片吗？
我想只要把90纳米的光线分成6分就可以达到14纳米的效果了，如何分成6分呢，要刻的上面铺设6条1纳米丝线，90纳米的光线照射上面，正好就每条丝线被分隔开来，很好理解，毕竟光线只能穿透没有遮挡的区域，被丝线遮挡的线路上，光线就无法穿透。那么1纳米的丝线从哪找呢，这个可以自己生产。第二种方法就是找14纳米的旧芯片，把上面塑料熔化掉，把14纳米的旧架构拿出来，放在要刻的表面，然后直接用90纳米的光刻机照射放有14纳米的旧架构上面，那么映射出来的就是14纳米的架构。同理，放个4纳米的旧架构，那么照射刻出来就是4纳米，以此类推。买个别人的手机从里面就能搞到一个旧芯片，拆除，溶解，或者框架
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